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SFNS101

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-52,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小53KB,共1页
制造商Solitron Devices Inc
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SFNS101概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-52,

SFNS101规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Solitron Devices Inc
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.2 A
最大漏极电流 (ID)1.2 A
最大漏源导通电阻2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-52
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值0.315 W
最大功率耗散 (Abs)0.315 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

SFNS101相似产品对比

SFNS101 SFNS061
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-52, Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-52,
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Solitron Devices Inc Solitron Devices Inc
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 100 V 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1.2 A 1.2 A
最大漏极电流 (ID) 1.2 A 1.2 A
最大漏源导通电阻 2 Ω 1.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-52 TO-52
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 0.315 W 0.315 W
最大功率耗散 (Abs) 0.315 W 0.315 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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