Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-52,
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Solitron Devices Inc |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.2 A |
最大漏极电流 (ID) | 1.2 A |
最大漏源导通电阻 | 2 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-52 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 0.315 W |
最大功率耗散 (Abs) | 0.315 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
SFNS101 | SFNS061 | |
---|---|---|
描述 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-52, | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-52, |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Solitron Devices Inc | Solitron Devices Inc |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 100 V | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.2 A | 1.2 A |
最大漏极电流 (ID) | 1.2 A | 1.2 A |
最大漏源导通电阻 | 2 Ω | 1.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-52 | TO-52 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 0.315 W | 0.315 W |
最大功率耗散 (Abs) | 0.315 W | 0.315 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子形式 | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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