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SMBTA93E6327

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小115KB,共4页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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SMBTA93E6327概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

SMBTA93E6327规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz

SMBTA93E6327相似产品对比

SMBTA93E6327
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
厂商名称 Infineon(英飞凌)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A
集电极-发射极最大电压 200 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz

 
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