IS66WV25632BLL-55BLI,IS66WV25632BLL-55BLI pdf中文资料,IS66WV25632BLL-55BLI引脚图,IS66WV25632BLL-55BLI电路-Datasheet-电子工程世界

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IS66WV25632BLL-55BLI: 产品描述Pseudo Static RAM, 256KX32, 55ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-90; 产品类别存储存储; 文件大小389KB，共15页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS66WV25632BLL-55BLI概述

Pseudo Static RAM, 256KX32, 55ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-90

IS66WV25632BLL-55BLI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA,
针数	90
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	55 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B90
JESD-609代码	e1
长度	13 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	90
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.45 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	8 mm

IS66WV25632BLL-55BLI相似产品对比

	IS66WV25632BLL-55BLI	IS66WV25632ALL-70BLI
描述	Pseudo Static RAM, 256KX32, 55ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-90	Pseudo Static RAM, 256KX32, 70ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-90
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	BGA	BGA
包装说明	LFBGA,	LFBGA,
针数	90	90
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	55 ns	70 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90
JESD-609代码	e1	e1
长度	13 mm	13 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	PSEUDO STATIC RAM	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度	32	32
功能数量	1	1
端子数量	90	90
字数	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C
组织	256KX32	256KX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.45 mm	1.45 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40
宽度	8 mm	8 mm

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