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CH3EZ150D5-37

产品描述Zener Diode, 150V V(Z), 5%, 3W, Silicon, Unidirectional
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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CH3EZ150D5-37概述

Zener Diode, 150V V(Z), 5%, 3W, Silicon, Unidirectional

CH3EZ150D5-37规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明R-XUUC-N1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-XUUC-N1
JESD-609代码e0
膝阻抗最大值6000 Ω
元件数量1
端子数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散3 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压150 V
最大反向电流0.5 µA
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流5 mA
再说MOS的主要参数
1.开启电压VT  ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;  ·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;  ·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。  2. 直流输入电阻RGS  ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比  ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示  ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。  3. 漏源击穿电压BVDS  ...
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