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CD5309

产品描述Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DIE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小32KB,共2页
制造商Compensated Devices Inc
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CD5309概述

Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DIE-1

CD5309规格参数

参数名称属性值
厂商名称Compensated Devices Inc
包装说明DIE-1
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型CURRENT REGULATOR DIODE
JESD-30 代码S-XUUC-N1
膝阻抗最大值29000 Ω
最大限制电压2.25 V
元件数量1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称调节电流 (Ireg)3 mA
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装YES
技术FIELD EFFECT
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER

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• 1N5283 THRU 1N5314 AVAILABLE IN
JANHC AND JANKC
PER MIL-PRF-19500/463
• CURRENT REGULATOR CHIPS
• ALL JUNCTIONS COMPLETELY PROTECTED WITH SILICON DIOXIDE
• ELECTRICALLY EQUIVALENT TO 1N5283 THRU 1N5314
• CONSTANT CURRENT OVER WIDE VOLTAGE RANGE
• COMPATIBLE WITH ALL WIRE BONDING AND DIE ATTACH TECHNIQUES,
WITH THE EXCEPTION OF SOLDER REFLOW
CD5283
thru
CD5314
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -55°C to +175°C
Storage Temperature: -55°C to +175°C
Peak Operating Voltage: 100 VOLTS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified
13 MILS
MAXIMUM
LIMITING
VOLTAGE
@ lL = 0.8 lp (min)
VL (VOLTS)
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.05
1.05
1.05
1.10
1.13
1.15
1.20
1.25
1.29
1.35
1.40
1.45
1.50
1.55
1.60
1.65
1.75
1.85
1.95
2.00
2.15
2.25
2.35
2.50
2.60
2.75
2.90
2.75
2.35
1.95
1.60
1.35
1.00
0.870
0.750
0.560
0.470
0.400
0.335
0.290
0.240
0.205
0.180
0.155
0.135
0.115
0.105
0.092
0.074
0.061
0.052
0.044
0.035
0.029
0.024
0.020
0.017
0.014
0.012
TYPE
NUMBER
NOM
CD5283
CD5284
CD5285
CD5286
CD5287
CD5288
CD5289
CD5290
CD5291
CD5292
CD5293
CD5294
CD5295
CD5296
CD5297
CD5298
CD5299
CD5300
CD5301
CD5302
CD5303
CD5304
CD5305
CD5306
CD5307
CD5308
CD5309
CD5310
CD5311
CD5312
CD5313
CD5314
0.22
0.24
0.27
0.30
0.33
0.39
0.43
0.47
0.56
0.62
0.68
0.75
0.82
0.91
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.80
2.00
2.20
2.40
2.70
3.00
3.30
3.60
3.90
4.30
4.70
REGULATOR CURRENT
lp (mA) @ VT = 25V
(Note 3)
MIN
0.198
0.216
0.243
0.270
0.297
0.351
0.387
0.423
0.504
0.558
0.612
0.675
0.738
0.819
0.900
0.990
1.08
1.17
1.26
1.35
1.44
1.62
1.80
1.98
2.16
2.43
2.70
2.97
3.24
3.51
3.87
4.23
MAX
0.242
0.264
0.297
0.330
0.363
0.429
0.473
0.517
0.616
0.682
0.748
0.825
0.902
1.001
1.100
1.210
1.32
1.43
1.54
1.65
1.76
1.98
2.20
2.42
2.64
2.97
3.30
3.63
3.96
4.29
4.73
5.17
MINIMUM
DYNAMIC
IMPEDANCE
@VT = 25V
ZT (MΩ)
(Note 1)
25.0
19.0
14.0
9.0
6.6
4.10
3.30
2.70
1.90
1.55
1.35
1.15
1.00
0.880
0.800
0.700
0.640
0.580
0.540
0.510
0.475
0.420
0.395
0.370
0.345
0.320
0.300
0.280
0.265
0.255
0.245
0.235
MINIMUM
KNEE
IMPEDANCE
@VK = 6.0 V
ZK (MΩ)
(Note 2)
BACKSIDE IS CATHODE
A = Anode
DESIGN DATA
METALLIZATION:
Top: (Anode).......................Al
Back: (Cathode)..................Au
AL THICKNESS.......25,000
Å
Min
GOLD THICKNESS...4,000
Å
Min
CHIP THICKNESS.............10
Mils
TOLERANCES:
ALL Dimensions
+ 2 mils, Except Anode Pad
Where Tolerance is + 0.1 mils.
NOTE 1
NOTE 2
NOTE 3
ZT is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of VT on VT.
ZK is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of VK on VK.
IP is read using a pulse measurement, 10 milliseconds maximum.
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com
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