Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 100V, 25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Supertex |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 25 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 5 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-243AA |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.6 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 0.7 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间(toff) | 13 ns |
| 最大开启时间(吨) | 10 ns |
| VP1310N8 | VP1310N2 | VP1304N2 | VP1306N2 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 100V, 25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Supertex | Supertex | Supertex | Supertex |
| Reach Compliance Code | unknown | unknow | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V | 100 V | 40 V | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.2 A | 0.25 A | 0.25 A | 0.25 A |
| 最大漏源导通电阻 | 25 Ω | 25 Ω | 25 Ω | 25 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 5 pF | 5 pF | 5 pF | 5 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-243AA | TO-39 | TO-39 | TO-39 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | METAL | METAL | METAL |
| 封装形状 | RECTANGULAR | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.6 W | 3 W | 3 W | 3 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | FLAT | WIRE | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | SINGLE | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 包装说明 | - | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 功耗环境最大值 | - | 3 W | 3 W | 3 W |
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