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VP1310N8

产品描述Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 100V, 25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小204KB,共4页
制造商Supertex
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VP1310N8概述

Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 100V, 25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA

VP1310N8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Supertex
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)0.2 A
最大漏源导通电阻25 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)5 pF
JEDEC-95代码TO-243AA
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)0.7 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)13 ns
最大开启时间(吨)10 ns

VP1310N8相似产品对比

VP1310N8 VP1310N2 VP1304N2 VP1306N2
描述 Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 100V, 25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Supertex Supertex Supertex Supertex
Reach Compliance Code unknown unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 40 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 0.2 A 0.25 A 0.25 A 0.25 A
最大漏源导通电阻 25 Ω 25 Ω 25 Ω 25 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 5 pF 5 pF 5 pF 5 pF
JEDEC-95代码 TO-243AA TO-39 TO-39 TO-39
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY METAL METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR ROUND ROUND ROUND
封装形式 SMALL OUTLINE CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.6 W 3 W 3 W 3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 FLAT WIRE WIRE WIRE
端子位置 SINGLE BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
包装说明 - CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
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