UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 0.380 INCH, M113, 4 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 包装说明 | 0.380 INCH, M113, 4 PIN |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.25 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 1.25 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | O-CRFM-F4 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | RADIAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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