Small Signal Field-Effect Transistor, 0.96A I(D), 100V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.96 A |
最大漏极电流 (ID) | 0.96 A |
最大漏源导通电阻 | 0.98 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | MO-036AB |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T14 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 4 |
端子数量 | 14 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1.4 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
IRHG593110 | IRHG597110PBF | IRHG597110SCS | |
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描述 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.96A I(D), 100V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.96A I(D), 100V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.96A I(D), 100V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 不符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14 | IN-LINE, R-CDIP-T14 | HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14 |
Reach Compliance Code | not_compliant | compliant | compliant |
配置 | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V | 100 V | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.96 A | 0.96 A | 0.96 A |
最大漏源导通电阻 | 0.98 Ω | 0.96 Ω | 0.96 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | MO-036AB | MO-036AB | MO-036AB |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T14 | R-CDIP-T14 | R-CDIP-T14 |
元件数量 | 4 | 4 | 4 |
端子数量 | 14 | 14 | 14 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | TIN LEAD |
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