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IRHG593110

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.96A I(D), 100V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小117KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRHG593110概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.96A I(D), 100V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14

IRHG593110规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.96 A
最大漏极电流 (ID)0.96 A
最大漏源导通电阻0.98 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MO-036AB
JESD-30 代码R-CDIP-T14
JESD-609代码e0
元件数量4
端子数量14
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.4 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IRHG593110相似产品对比

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描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.96A I(D), 100V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.96A I(D), 100V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.96A I(D), 100V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14 IN-LINE, R-CDIP-T14 HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14
Reach Compliance Code not_compliant compliant compliant
配置 SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 0.96 A 0.96 A 0.96 A
最大漏源导通电阻 0.98 Ω 0.96 Ω 0.96 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 MO-036AB MO-036AB MO-036AB
JESD-30 代码 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14 R-CDIP-T14
元件数量 4 4 4
端子数量 14 14 14
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
ECCN代码 EAR99 - EAR99
JESD-609代码 e0 - e0
最高工作温度 150 °C 150 °C -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - TIN LEAD
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