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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> UPD4217412G5M-60

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UPD4217412G5M-60: 产品描述Static Column DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24; 产品类别存储存储; 文件大小96KB，共4页; 制造商NEC(日电)

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UPD4217412G5M-60概述

Static Column DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24

UPD4217412G5M-60规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NEC(日电)
包装说明	0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24
Reach Compliance Code	unknown
访问模式	STATIC COLUMN
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G24
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	STATIC COLUMN DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	24
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
组织	4MX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2-R
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm

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