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ADP3601-23

产品描述Mixer Diode, Low Barrier, KA Band, 2000ohm Z(V) Max, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小114KB,共3页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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ADP3601-23概述

Mixer Diode, Low Barrier, KA Band, 2000ohm Z(V) Max, Silicon,

ADP3601-23规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明O-CEMW-N2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带KA BAND
最大阻抗2000 Ω
最小阻抗1000 Ω
JESD-30 代码O-CEMW-N2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
脉冲输入最大功率0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
最小正切信号灵敏度-47 dBm
技术SCHOTTKY
端子形式NO LEAD
端子位置END
肖特基势垒类型LOW BARRIER
两款国内外的主流方案PK,求大虾支招
[i=s] 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 08:57 编辑 [/i]:...
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