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EDH816H64C70C9M

产品描述SRAM Module, 256KX4, 70ns, CMOS,
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文件大小151KB,共6页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDH816H64C70C9M概述

SRAM Module, 256KX4, 70ns, CMOS,

EDH816H64C70C9M规格参数

参数名称属性值
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
其他特性CONFIGURABLE AS 64K X 16
备用内存宽度8
JESD-30 代码R-XDMA-T40
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量40
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX4
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
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