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RJK0210DPA-00-J53

产品描述Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小62KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJK0210DPA-00-J53概述

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

RJK0210DPA-00-J53规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压25 V
最大漏极电流 (ID)40 A
最大漏源导通电阻0.0074 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-N5
JESD-609代码e4
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)160 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Preliminary Datasheet
RJK0210DPA
Silicon N Channel Power MOS FET
Power Switching
Features
Very high speed switching
Capable of 4.5 V gate drive
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
R
DS(on)
= 4.5 m
typ. (at V
GS
= 10 V)
Pb-free
Halogen-free
REJ03G1948-0021
Rev.0.21
Jul 02, 2010
Outline
RENESAS Package code: PWSN0008DC-A
(Package name: WPAK(2))
5 6 7 8
D D D D
5 6 7 8
4
G
4 3 2 1
1, 2, 3
Source
4
Gate
5, 6, 7, 8 Drain
S S S
1 2 3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to case thermal resistance
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
10
s,
duty cycle
1%
2. Value at Tch = 25C, Rg
50
3. Tc = 25C
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
AP Note 2
E
AR Note 2
Pch
Note3
ch-c
Note3
Tch
Tstg
Ratings
25
+16, –12
40
160
40
27
91
45
2.78
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
C/W
C
C
REJ03G1948-0021 Rev.0.21
Jul 02, 2010
Page 1 of 3
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