DDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 针数 | 165 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 0.45 ns |
| 其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 400 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 15 mm |
| 内存密度 | 75497472 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR SRAM |
| 内存宽度 | 36 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 165 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 2MX36 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LBGA |
| 封装等效代码 | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 220 |
| 电源 | 1.5/1.8,1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.4 mm |
| 最大待机电流 | 0.32 A |
| 最小待机电流 | 1.7 V |
| 最大压摆率 | 0.75 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 13 mm |
| CY7C1550KV18-400BZI | CY7C1550KV18-450BZI | |
|---|---|---|
| 描述 | DDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 | DDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) |
| 零件包装代码 | BGA | BGA |
| 包装说明 | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 针数 | 165 | 165 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 0.45 ns | 0.45 ns |
| 其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE | PIPELINED ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 400 MHz | 450 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 15 mm | 15 mm |
| 内存密度 | 75497472 bit | 75497472 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR SRAM | DDR SRAM |
| 内存宽度 | 36 | 36 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 165 | 165 |
| 字数 | 2097152 words | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 | 2000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 2MX36 | 2MX36 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LBGA | LBGA |
| 封装等效代码 | BGA165,11X15,40 | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 220 | 220 |
| 电源 | 1.5/1.8,1.8 V | 1.5/1.8,1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.4 mm | 1.4 mm |
| 最大待机电流 | 0.32 A | 0.34 A |
| 最小待机电流 | 1.7 V | 1.7 V |
| 最大压摆率 | 0.75 mA | 0.82 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL | BALL |
| 端子节距 | 1 mm | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 13 mm | 13 mm |
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