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RB068L100

产品描述Schottky Barrier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小1MB,共5页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB068L100概述

Schottky Barrier Diode

RB068L100规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流50 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Data Sheet
Schottky Barrier Diode
RB068L100
lApplications
General rectification
lDimensions
(Unit : mm)
lLand
size figure
(Unit : mm)
2.0
2.0
2.6±0.2
lFeatures
1)Small power mold type. (PMDS)
2)High reliability.
3)Low I
R
.
4.5±0.2
1.2±0.3
2
2
0.1±0.02
    0.1
5.0±0.3
1.5±0.2
2.0±0.2
PMDS
lConstruction
Silicon epitaxial planer
ROHM : PMDS
JEDEC : SOD-106
Manufacture Date
lStructure
lTaping
dimensions
(Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ
1.55±0.05
0.3
5.5±0.05
1.75±0.1
φ
1.55
2.9±0.1
4.0±0.1
2.8MAX
lAbsolute
maximum ratings
(Ta=25C)
Parameter
Limits
Symbol
V
RM
Reverse voltage (repetitive)
100
V
R
Reverse voltage (DC)
100
Average rectified forward current (*1)
2
Io
I
FSM
Forward current surge peak (60Hz・1cyc)
60
Junction temperature
150
Tj
Storage temperature
-40
to
+150
Tstg
(*1)Mounted on epoxy board,60Hz half sine wave, Tc=83°C Max.
lElectrical
characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Symbol
V
F
Forward voltage
Reverse current
I
R
Unit
V
V
A
A
C
C
Min.
-
-
Typ.
-
-
Max.
0.80
50
Unit
V
μA
I
F
=2.0A
V
R
=100V
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
5.3±0.1
0.05
 
9.5±0.1
Conditions
1/4
2011.10 - Rev.A
12±0.2
4.2
输入引脚设置
把一个引脚设为输入,并引出来了一根线, 用SIGNALTAP看的时候 这个脚的波形总是来回波动,特别不稳定, 但是拔了这根线波形就正常了,而且拔了线之后如果用手摸的话也是不正常。是需要加上 ......
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