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UPA835TC-T1FB

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小74KB,共13页
制造商NEC(日电)
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UPA835TC-T1FB概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6

UPA835TC-T1FB规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
包装说明ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.03 A
基于收集器的最大容量0.7 pF
集电极-发射极最大电压6 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-F6
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)12000 MHz

UPA835TC-T1FB相似产品对比

UPA835TC-T1FB UPA835TC-FB
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6
包装说明 ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6 ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.03 A 0.03 A
基于收集器的最大容量 0.7 pF 0.7 pF
集电极-发射极最大电压 6 V 6 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6
元件数量 2 2
端子数量 6 6
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 12000 MHz 12000 MHz
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