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KM48V8100CS-L6T

产品描述Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32
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文件大小791KB,共20页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM48V8100CS-L6T概述

Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32

KM48V8100CS-L6T规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明TSOP, TSOP32,.46
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间60 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
端子数量32
字数8388608 words
字数代码8000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP
封装等效代码TSOP32,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.1 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
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