DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, RDIMM-244
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Micron Technology |
| 零件包装代码 | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, |
| 针数 | 244 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | SELF REFRESH; WD-MAX |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N244 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 82 mm |
| 内存密度 | 19327352832 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 72 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 244 |
| 字数 | 268435456 words |
| 字数代码 | 256000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 256MX72 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 30.152 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 3.8 mm |
| MT18HTF25672PKIZ-80EXX | MT18HTF25672PKZ-80EH1 | MT18HTF25672PKZ-667H1 | MT18HTF25672PKIZ-800XX | MT18HTF25672PKZ-667G1 | MT18HTF25672PKIZ-667XX | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, RDIMM-244 | MODULE DDR2 SDRAM 2GB 244MRDIMM | MODULE DDR2 SDRAM 2GB 244MRDIMM | DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, RDIMM-244 | DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, HALOGEN FREE, MO-244, RDIMM-244 | DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, RDIMM-244 |
| 厂商名称 | Micron Technology | - | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology |
| 零件包装代码 | DIMM | - | - | DIMM | DIMM | DIMM |
| 包装说明 | DIMM, | - | - | DIMM, | DIMM, | DIMM, |
| 针数 | 244 | - | - | 244 | 244 | 244 |
| Reach Compliance Code | compliant | - | unknown | compliant | unknown | compli |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | - | - | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | SELF REFRESH; WD-MAX | - | - | SELF REFRESH; WD-MAX | WD-MAX | SELF REFRESH; WD-MAX |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N244 | - | R-PDMA-N244 | R-XDMA-N244 | R-XDMA-N244 | R-XDMA-N244 |
| JESD-609代码 | e4 | - | - | e4 | e4 | e4 |
| 长度 | 82 mm | - | - | 82 mm | 82 mm | 82 mm |
| 内存密度 | 19327352832 bit | - | 19327352832 bit | 19327352832 bit | 19327352832 bit | 19327352832 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE | - | - | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 72 | - | 72 | 72 | 72 | 72 |
| 功能数量 | 1 | - | - | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | - | - | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 244 | - | 244 | 244 | 244 | 244 |
| 字数 | 268435456 words | - | 268435456 words | 268435456 words | 268435456 words | 268435456 words |
| 字数代码 | 256000000 | - | 256000000 | 256000000 | 256000000 | 256000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | - | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | - | 70 °C | 85 °C | - | 85 °C |
| 组织 | 256MX72 | - | 256MX72 | 256MX72 | 256MX72 | 256MX72 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | - | PLASTIC/EPOXY | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM | - | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 30.152 mm | - | - | 30.152 mm | 30.152 mm | 30.152 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | - | - | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | - | - | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | - | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | NO | - | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | - | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | GOLD | - | - | GOLD | GOLD | GOLD |
| 端子形式 | NO LEAD | - | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 3.8 mm | - | - | 3.8 mm | 3.8 mm | 3.8 mm |
淘e淘
stm32/stm8
FPGA/CPLD
微控制器 MCU
stm32/stm8
嵌入式系统
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
