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BDS29C.MODR1

产品描述Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, Metal, 3 Pin, TO-254, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小33KB,共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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BDS29C.MODR1概述

Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, Metal, 3 Pin, TO-254, 3 PIN

BDS29C.MODR1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明TO-254, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)200
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-MSFM-P3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4 MHz

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BDS29A
BDS29B
BDS29C
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
13.59 (0.535)
13.84 (0.545)
3.53 (0.139)
Dia.
3.78 (0.149)
6.32 (0.249)
6.60 (0.260)
1.02 (0.040)
1.27 (0.050)
COMPLEMENTARY
POWER DARLINGTON
TO254 METAL TRANSISTORS
20.07 (0.790)
20.32 (0.800)
30.35 (1.195)
31.40 (1.235)
16.89 (0.665)
17.40 (0.685)
13.59 (0.535)
13.84 (0.545)
FEATURES
• HERMETIC TO254 METAL PACKAGE
• HIGH RELIABILITY
• ISOLATED OPTION
• MILITARY OPTION
• SCREENING OPTIONS AVAILABLE
1
2
3
0.89 (0.035)
1.14 (0.045)
3.81 (0.150)
BSC
3.81 (0.150)
BSC
TO254 METAL PACKAGE
Pin 1
– Base
Pin 2
– Collector
Pin 3
– Emitter
APPLICATIONS
• COMPLEMENTARY GENERAL PURPOSE
AMPLIFIER APPLICATIONS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
=25°C unless otherwise stated)
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
E
, I
C
I
B
P
tot
T
stg
T
j
R
THj-case
Collector - Base voltage (I
E
= 0)
Collector - Emitter voltage (I
B
= 0)
Emitter - Base voltage (I
C
= 0)
Emitter , Collector current
Base current
Total power dissipation at T
case
£
75°C
Storage Temperature
Junction Temperature
Thermal resistance junction - case
BDS29A
BDS29B
BDS29C
60V
60V
90V
90V
5V
30A
1A
150W
– 65 TO 200°C
200°C
1.16°C/W
120V
120V
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Document Number 2596
Issue 1

BDS29C.MODR1相似产品对比

BDS29C.MODR1 BDS29A.MODR1 BDS29B.MODR1
描述 Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, Metal, 3 Pin, TO-254, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, Metal, 3 Pin, TO-254M, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, Metal, 3 Pin, TO-254, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 TT Electronics plc TT Electronics plc TT Electronics plc
包装说明 TO-254, 3 PIN TO-254M, 3 PIN TO-254, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC) 30 A 30 A 30 A
集电极-发射极最大电压 120 V 60 V 90 V
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 200 200 200
JEDEC-95代码 TO-254AA TO-254AA TO-254AA
JESD-30 代码 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3
JESD-609代码 e1 e1 e1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 4 MHz 4 MHz 4 MHz
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