EEPROM, 64KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Silicon Laboratories Inc |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 250 ns |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 页面大小 | 128 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.000015 A |
| 最大压摆率 | 0.015 mA |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 切换位 | YES |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| SST29VE512A-250-4C-NH | SST29LE512A-150-4C-NH | SST29VE512A-250-4C-U2 | SST29VE512A-200-4C-NH | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | EEPROM, 64KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32 | EEPROM, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32 | EEPROM | EEPROM, 64KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32 |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | , | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | Silicon Laboratories Inc | - | Silicon Laboratories Inc | Silicon Laboratories Inc |
| 最长访问时间 | 250 ns | 150 ns | - | 200 ns |
| 命令用户界面 | NO | NO | - | NO |
| 数据轮询 | YES | YES | - | YES |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles | 10000 Write/Erase Cycles | - | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 | R-PQCC-J32 | - | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 |
| 内存密度 | 524288 bit | 524288 bit | - | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | - | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | - | 8 |
| 端子数量 | 32 | 32 | - | 32 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words | - | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 | - | 64000 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | - | 70 °C |
| 组织 | 64KX8 | 64KX8 | - | 64KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | QCCJ | - | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 | LDCC32,.5X.6 | - | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | - | CHIP CARRIER |
| 页面大小 | 128 words | 128 words | - | 128 words |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - | PARALLEL |
| 电源 | 3/3.3 V | 3.3 V | - | 3/3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.000015 A | 0.000015 A | - | 0.000015 A |
| 最大压摆率 | 0.015 mA | 0.015 mA | - | 0.015 mA |
| 表面贴装 | YES | YES | - | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | J BEND | - | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | - | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | - | QUAD |
| 切换位 | YES | YES | - | YES |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms | - | 10 ms |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
