HCTS02DMSH概述

NOR Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14

HCTS02DMSH规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Harris
包装说明	DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列	HCT
JESD-30 代码	R-CDIP-T14
JESD-609代码	e0
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	NOR GATE
最大I（ol）	0.0048 A
功能数量	4
输入次数	2
端子数量	14
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP14,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
电源	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup	26 ns
传播延迟（tpd）	25 ns
认证状态	Not Qualified
施密特触发器	NO
筛选级别	38535V;38534K;883S
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
总剂量	1M Rad(Si) V

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HCTS02DMSH相似产品对比

	HCTS02DMSH	5962R9568201VXC	5962R9568201VCC	5962R9568201VCX	5962R9568201VXX	HCTS02KMSH
描述	NOR Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14	NOR Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14	NOR Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14	NOR Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14	NOR Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14	NOR Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列	HCT	HCT	HCT	HCT	HCT	HCT
JESD-30 代码	R-CDIP-T14	R-CDFP-F14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDFP-F14	R-CDFP-F14
逻辑集成电路类型	NOR GATE	NOR GATE	NOR GATE	NOR GATE	NOR GATE	NOR GATE
功能数量	4	4	4	4	4	4
输入次数	2	2	2	2	2	2
端子数量	14	14	14	14	14	14
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	FLATPACK	IN-LINE	IN-LINE	FLATPACK	FLATPACK
传播延迟（tpd）	25 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	25 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	NO	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	FLAT	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
总剂量	1M Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	1M Rad(Si) V
厂商名称	Harris	-	-	Harris	Harris	Harris
JESD-609代码	e0	e4	e4	-	-	e0
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	50 pF	-	-	50 pF
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	GOLD	GOLD	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)

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