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HN58V256AP-12

产品描述32KX8 EEPROM 3V, 120ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
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文件大小471KB,共23页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HN58V256AP-12概述

32KX8 EEPROM 3V, 120ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

HN58V256AP-12规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码DIP
包装说明0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度35.6 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.7 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
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