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BLV859

产品描述TRANSISTOR 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, CERAMIC, SOT-262B, 5 PIN, BIP RF Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小98KB,共16页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BLV859概述

TRANSISTOR 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, CERAMIC, SOT-262B, 5 PIN, BIP RF Power

BLV859规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SOT
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数5
制造商包装代码SOT262B
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY, WITH POLYSILICON EMITTER BALLASTING RESISTORS
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压28 V
配置COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)30
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F4
元件数量2
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)145 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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