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VDZ33B

产品描述32.97 V, 0.1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小161KB,共5页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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VDZ33B概述

32.97 V, 0.1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

VDZ33B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗250 Ω
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.1 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压33 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
最大电压容差2.49%
工作测试电流2 mA

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VDZ20B
Diodes
Zener diode
VDZ20B
Application
Voltage regulation
External dimensions
(Unit : mm)
0.6±0.05
0.13±0.03
Land size figure
(Unit : mm)
0.5
0.5
Features
1) Ultra small mold type (VMD2).
2) High reliability.
3) By chip-mounter, automatic mounting
is possible.
1.0±0.05
1.4±0.05
VMD2
Structure
Construction
Silicon Epitaxial Planer
0.27±0.03
0.5±0.05
ROHM : VMD2
dot (year week factory)
EX. VDZ3.6B
Taping specification
(Unit : mm)
4±0.1
2±0.05
φ1.5+0.1
     0
1.75±0.1
0.18±0.05
3.5±0.05
1.11±0.05
2.1±0.1
φ0.5
0.76±0.1
4±0.1
2±0.05
0.4
8.0±0.3
0.1
0.3
0.65±0.05
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Power dissipation
P
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
Operating temperature
Topr
Limits
100
150
-55 to +150
-55 to +150
Unit
mW
Rev.A
1.2
1/4

 
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