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VP2020LTR1

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小41KB,共2页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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VP2020LTR1概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA

VP2020LTR1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)0.12 A
最大漏源导通电阻20 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)10 pF
JEDEC-95代码TO-226AA
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON

VP2020LTR1相似产品对比

VP2020LTR1 VP2020L18-1 VP2020L18 VP2020L18-2 VP2020L-1TR1 VP2020L-2TA VP2020L-2TR1 VP2020L-1TA
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA 120mA, 200V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 0.12 A 0.12 A 0.12 A 0.12 A 0.12 A 0.12 A 0.12 A 0.12 A
最大漏源导通电阻 20 Ω 20 Ω 20 Ω 20 Ω 20 Ω 20 Ω 20 Ω 20 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 10 pF 10 pF 10 pF 10 pF 10 pF 10 pF 10 pF 10 pF
JEDEC-95代码 TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA TO-226AA
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
Base Number Matches - 1 1 1 1 1 - -
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