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SIHFB20N50K

产品描述20 A, 500 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小3MB,共7页
制造商Kersemi Electronic
官网地址http://www.kersemi.com
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SIHFB20N50K概述

20 A, 500 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

20 A, 500 V, 0.25 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

SIHFB20N50K规格参数

参数名称属性值
端子数量3
最小击穿电压500 V
加工封装描述ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态TRANSFERRED
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子涂层MATTE 锡
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接DRAIN
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
通道类型N沟道
场效应晶体管技术金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型通用电源
最大漏电流20 A
额定雪崩能量330 mJ
最大漏极导通电阻0.2500 ohm
最大漏电流脉冲80 A

SIHFB20N50K相似产品对比

SIHFB20N50K IRFB20N50K IRFB20N50KPBF SIHFB20N50K-E3
描述 20 A, 500 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 20 A, 500 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 20 A, 500 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 20 A, 500 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
端子数量 3 3 3 3
最小击穿电压 500 V 500 V 500 V 500 V
加工封装描述 ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
无铅 Yes Yes Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes Yes Yes
状态 TRANSFERRED TRANSFERRED TRANSFERRED TRANSFERRED
包装形状 矩形的 矩形的 矩形的 矩形的
包装尺寸 凸缘安装 凸缘安装 凸缘安装 凸缘安装
端子形式 THROUGH-孔 THROUGH-孔 THROUGH-孔 THROUGH-孔
端子涂层 MATTE 锡 MATTE 锡 MATTE 锡 MATTE 锡
端子位置 单一的 单一的 单一的 单一的
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
结构 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
元件数量 1 1 1 1
晶体管应用 开关 开关 开关 开关
晶体管元件材料
通道类型 N沟道 N沟道 N沟道 N沟道
场效应晶体管技术 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式 ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT ENHANCEMENT
晶体管类型 通用电源 通用电源 通用电源 通用电源
最大漏电流 20 A 20 A 20 A 20 A
额定雪崩能量 330 mJ 330 mJ 330 mJ 330 mJ
最大漏极导通电阻 0.2500 ohm 0.2500 ohm 0.2500 ohm 0.2500 ohm
最大漏电流脉冲 80 A 80 A 80 A 80 A

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