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U635H16BSK45G1

产品描述Non-Volatile SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOP-24
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文件大小222KB,共13页
制造商Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)
标准
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U635H16BSK45G1概述

Non-Volatile SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOP-24

U635H16BSK45G1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Zentrum Mikroelektronik Dresden AG (IDT)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP24,.4
针数24
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间45 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G24
JESD-609代码e3
长度15.4 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP24,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)250
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.65 mm
最大待机电流0.003 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度7.5 mm

 
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