电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

P4C164-20LSMB

产品描述Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共16页
制造商Pyramid Semiconductor Corporation
官网地址http://www.pyramidsemiconductor.com/
下载文档 详细参数 全文预览

P4C164-20LSMB概述

Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CQCC28, 0.350 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-28

P4C164-20LSMB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Pyramid Semiconductor Corporation
零件包装代码QLCC
包装说明QCCN, LCC28,.35X.55
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间20 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CQCC-N28
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC28,.35X.55
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度1.905 mm
最大待机电流0.025 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8.89 mm
软件工程与嵌入式的区别?
本人喜欢搞软件,但是最近总是听说嵌入式更有前途,由于小弟对嵌入式不是很了解,希望能得到高手们的帮助。。。。...
85868788 嵌入式系统
zigbee(CC2530)怎么实现频率计?
zigbee(CC2530)怎么实现频率计?软件怎么写,硬件怎么接?...
天平舞者 RF/无线
5# STM32WB开发板蓝牙例程浅析
[i=s] 本帖最后由 北方 于 2019-5-13 12:49 编辑 [/i]1. ST的SDK提供了比较丰富的例程,不过双核使用的例程还没补充,应该在后面升级版补充,现在是1.0版本。2. 跳过电灯,直接从蓝牙例程开始测试。蓝牙心率测量使用的是ble低功耗蓝牙,先下载手机appST BLE Profile application on the android device[url=https:...
北方 RF/无线
嵌入式系统:硬件与软件架构
《嵌入式系统-硬件与软件架构》涵盖了嵌入式系统的各个方面,内容分为4个部分:第一部分包括嵌入式系统的基本介绍以及一些必备的知识;第二部分介绍嵌入式硬件,包括处理器、存储器、I/O以及总线;第三部分是关于嵌入式软件的介绍,包括设备驱动、操作系统及中间件和应用软件;第四部分介绍了嵌入式系统的设计与开发。https://download.eeworld.com.cn/detail/tiankai001/5...
arui1999 下载中心专版
英飞凌LDMOS工艺使RF晶体管功率密度提25%
英飞凌科技(Infineon Technologies)日前在MTT国际微波研讨会上, 展示了下一代LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)工艺。该工艺可用于制造适用于无线网络基站和中继器的功率放大器等产品的高功率RF(射频)晶体管。 英飞凌科技(Infineon Technologies)日前在MTT国际微波研讨会上, 展示了下一代LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)工艺。该工艺可用于制造适用于...
fighting 模拟电子
竟然不能设置断点!
if(rti_time_stay==12700)rti_time_stay=rti_time_stay;竟然不能设置断点,是不是编译器优化的时候把这句去掉了啊?...
双手互搏 嵌入式系统

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 523  1203  1213  1391  1422 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved