HYI18TC512800B2F-25F,HYI18TC512800B2F-25F pdf中文资料,HYI18TC512800B2F-25F引脚图,HYI18TC512800B2F-25F电路-Datasheet-电子工程世界

HYI18TC512800B2F-25F: 产品描述DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, PLASTIC TFBGA-60; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共60页; 制造商QIMONDA; 标准

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HYI18TC512800B2F-25F概述

DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, PLASTIC TFBGA-60

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	QIMONDA
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数	60
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	400 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
长度	10.5 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA60,9X11,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.155 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10 mm

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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