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S-22H10IF01/10

产品描述Memory Circuit, 64X4, CMOS, PDSO18
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文件大小585KB,共15页
制造商ABLIC
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S-22H10IF01/10概述

Memory Circuit, 64X4, CMOS, PDSO18

S-22H10IF01/10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ABLIC
包装说明SOP, SOP18,.3
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间200 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G18
JESD-609代码e0
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度4
端子数量18
字数64 words
字数代码64
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64X4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大压摆率0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

S-22H10IF01/10相似产品对比

S-22H10IF01/10 S-22H10I01/10 S-22H10RF01/10 S-22H10R01/10
描述 Memory Circuit, 64X4, CMOS, PDSO18 Memory Circuit, 64X4, CMOS, PDIP18 Memory Circuit, 64X4, CMOS, PDSO18 Memory Circuit, 64X4, CMOS, PDIP18
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ABLIC ABLIC ABLIC ABLIC
包装说明 SOP, SOP18,.3 DIP, DIP18,.3 SOP, SOP18,.3 DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
最长访问时间 200 ns 200 ns 200 ns 200 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G18 R-PDIP-T18 R-PDSO-G18 R-PDIP-T18
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
内存宽度 4 4 4 4
端子数量 18 18 18 18
字数 64 words 64 words 64 words 64 words
字数代码 64 64 64 64
最高工作温度 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C
组织 64X4 64X4 64X4 64X4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP SOP DIP
封装等效代码 SOP18,.3 DIP18,.3 SOP18,.3 DIP18,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大压摆率 0.03 mA 0.03 mA 0.02 mA 0.02 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
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