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MJE18604D2AF

产品描述3A, 800V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小387KB,共61页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MJE18604D2AF概述

3A, 800V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

MJE18604D2AF规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-220AB
包装说明PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN ANTISATURATION NETWORK
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压800 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)13 MHz

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