MRFC581A概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

MRFC581A规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Motorola ( NXP )
包装说明	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.2 A
基于收集器的最大容量	2 pF
集电极-发射极最大电压	15 V
配置	SINGLE
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-XUUC-N2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	1.67 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	5000 MHz

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MRFC581A相似产品对比

	MRFC581A	MRF580A	MRFC581
描述	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
厂商名称	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )	Motorola ( NXP )
包装说明	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2	DISK BUTTON, O-PRDB-F3	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.2 A	0.2 A	0.2 A
基于收集器的最大容量	2 pF	2 pF	2 pF
集电极-发射极最大电压	15 V	15 V	18 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-XUUC-N2	O-PRDB-F3	R-XUUC-N2
元件数量	1	1	1
端子数量	2	3	2
最高工作温度	200 °C	150 °C	200 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	ROUND	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP	DISK BUTTON	UNCASED CHIP
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN
功耗环境最大值	1.67 W	1.2 W	1.67 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	FLAT	NO LEAD
端子位置	UPPER	RADIAL	UPPER
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	5000 MHz	5000 MHz	5000 MHz
最小直流电流增益 (hFE)	-	90	50

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