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AML9003-01

产品描述Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 500ohm Z(V) Max, 6.5dB Noise Figure, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小114KB,共3页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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AML9003-01概述

Mixer Diode, Low Barrier, X Band, 500ohm Z(V) Max, 6.5dB Noise Figure, Silicon,

AML9003-01规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带X BAND
最大阻抗500 Ω
最小阻抗200 Ω
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大噪声指数6.5 dB
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
脉冲输入最大功率0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
肖特基势垒类型LOW BARRIER
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