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TM9355

产品描述5 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小201KB,共1页
制造商API Technologies
官网地址http://www.apitech.com/about-api
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TM9355概述

5 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER

5 MHz - 2000 MHz 射频/微波宽带低功率放大器

TM9355规格参数

参数名称属性值
厂商名称API Technologies
包装说明TO-8, 4 PIN
Reach Compliance Codecompli
其他特性I/P POWER-MAX (PEAK)=23DBM
构造COMPONENT
增益9 dB
最大输入功率 (CW)13 dBm
功能数量1
端子数量4
最大工作频率2000 MHz
最小工作频率5 MHz
最高工作温度85 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料METAL
封装等效代码CAN4,.3
电源5 V
射频/微波设备类型WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率33 mA
最大电压驻波比2

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RF AMPLIFIER
MODEL
TM9355
Features
Medium Gain: 10 dB Gain Typical
Low Noise Figure: <4 dBm Typical
Operating Temp. -55 ºC to +85 ºC
Environmental Screening Available
Available as:
TM9355, 4 Pin TO-8 (T4)
TN9355, 4 Pin Surface Mount (SM3)
FP9355, 4 Pin Flatpack (FP4)
BX9355, Connectorized Housing (H1)
Typical Intermodulation Performance at 25 ºC
Second Order Harmonic Intercept Point ...... +38 dBm (Typ.)
Second Order Two Tone Intercept Point ....... +32 dBm (Typ.)
Third Order Two Tone Intercept Point.. ......... +24 dBm (Typ.)
Specifications
CHARACTERISTIC
Frequency
Gain (dB)
Power @ 1 dB
Comp. (dBm)
Reverse
Isolation (dB)
VSWR
In
Out
Noise Figure (dB)
Power
Vdc
mA
TYPICAL
Ta= 25 ºC
5 - 2000 MHz
10
11
-16
1.8:1
1.5:1
<4.0
+5
30
MIN/MAX
Ta = -55 ºC to +85 ºC
5 - 2000 MHz
9 Min.
10 Min.
-15 Max.
2.0:1 Max.
2.0:1 Max.
6.0 Max.
+5
33 Max.
Absolute Maximum (No Damage) Ratings
Ambient Operating Temperature ................ -55ºC to +100 ºC
Storage Temperature ................................. -62ºC to +125 ºC
Case Temperature .................................................. +125 ºC
DC Voltage ........................................................... + 8 Volts
Continuous RF Input Power .................................. +13 dBm
Short Term RF Input Power ... 100 Milliwatts (1 Minute Max.)
Maximum Peak Power ................... 0.2 Watt (3
µsec
Max.)
Note: Care should always be taken to effectively ground the case of each unit.
Typical Performance Data
Legend
+ 25 ºC
+ 85 ºC - - - - - - -55 ºC
Linear S-Parameters
FREQ.
– – – – S11– – – –
– – – – S12– – – –
– – – – S22– – – –
– – – – S21– – – –
MHz
Mag
Deg
Mag
Deg
Mag
Deg
Mag
Deg
=========================================================================================================
10
.22
-170
3.33
-21
.1212
5
.11
160
100
.20
175
3.35
-11
.1205
-3
.10
174
200
.20
168
3.34
-20
.1194
-6
.09
176
400
.21
155
3.33
-37
.1207
-12
.09
175
600
.22
143
3.32
-54
.1224
-19
.08
179
800
.23
130
3.34
-69
.1215
-27
.08
-180
1000
.24
117
3.36
-84
.1244
-33
.08
-177
1200
.25
104
3.39
-96
.1240
-43
.08
-174
1400
.25
91
3.41
-111
.1275
-50
.09
-176
1600
.25
77
3.47
-125
.1270
-59
.08
179
1800
.24
63
3.56
-143
.1321
-72
.06
172
2000
.21
46
3.57
-174
.1313
-81
.04
173
Spectrum Microwave · 2144 Franklin Drive N.E. · Palm Bay, Florida 32905 · PH (888) 553-7531 · Fax (888) 553-7532
Rev.
5/28/10
www.spectrummicrowave.com
Spectrum Microwave · 2707 Black Lake Place · Philadelphia, Pennsylvania 19154 · PH (215) 464-4000 · Fax (215) 464-4001

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描述 5 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER 5 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER 5 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER 5 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
厂商名称 API Technologies API Technologies API Technologies API Technologies
Reach Compliance Code compli compli compli compliant
其他特性 I/P POWER-MAX (PEAK)=23DBM I/P POWER-MAX (PEAK)=23DBM I/P POWER-MAX (PEAK)=23DBM SMA-F, I/P POWER-MAX (PEAK)=23DBM
构造 COMPONENT COMPONENT COMPONENT COAXIAL
增益 9 dB 9 dB 9 dB 9 dB
最大输入功率 (CW) 13 dBm 13 dBm 13 dBm 13 dBm
最大工作频率 2000 MHz 2000 MHz 2000 MHz 2000 MHz
最小工作频率 5 MHz 5 MHz 5 MHz 5 MHz
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
射频/微波设备类型 WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER WIDE BAND LOW POWER
最大电压驻波比 2 2 2 2
包装说明 TO-8, 4 PIN FP-4 MODULE,4LEAD,.45SQ -
功能数量 1 1 1 -
端子数量 4 4 4 -
封装主体材料 METAL METAL METAL -
封装等效代码 CAN4,.3 MODULE,4LEAD,.5SQ MODULE,4LEAD,.45SQ -
电源 5 V 5 V 5 V -
最大压摆率 33 mA 33 mA 33 mA -
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