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2N5785

产品描述Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin, TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小395KB,共5页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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2N5785概述

Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin, TO-39, 3 PIN

2N5785规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-39
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)3.5 A
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)10 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)1 MHz
Base Number Matches1
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