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R219CH12EN0

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 1100000mA I(T), 1200V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小749KB,共6页
制造商IXYS
相似器件已查找到1个与R219CH12EN0功能相似器件
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R219CH12EN0概述

Silicon Controlled Rectifier, 1100000mA I(T), 1200V V(DRM),

R219CH12EN0规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
标称电路换相断开时间10 µs
关态电压最小值的临界上升速率100 V/us
最大直流栅极触发电流300 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大维持电流1000 mA
最大漏电流70 mA
通态非重复峰值电流9000 A
最大通态电压2.04 V
最大通态电流1100000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压1200 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

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与R219CH12EN0功能相似器件

器件名 厂商 描述
R219CH12EN0 Littelfuse Silicon Controlled Rectifier, 1100000mA I(T), 1200V V(DRM),

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