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SML451R1BN

产品描述Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小573KB,共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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SML451R1BN概述

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

SML451R1BN规格参数

参数名称属性值
厂商名称TT Electronics plc
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最小漏源击穿电压450 V
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻1.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)36 A
认证状态Not Qualified
参考标准CECC
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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