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PDM41256LA10DI

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, CDIP28
产品类别存储    存储   
文件大小351KB,共8页
制造商Paradigm Technology Inc
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PDM41256LA10DI概述

Standard SRAM, 32KX8, 10ns, CMOS, CDIP28

PDM41256LA10DI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Paradigm Technology Inc
包装说明DIP, DIP28,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间10 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-GDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0005 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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