Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 7 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 60 |
JEDEC-95代码 | TO-66 |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 40 W |
最大功率耗散 (Abs) | 40 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 30 MHz |
VCEsat-Max | 0.7 V |
Base Number Matches | 1 |
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