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2N5011

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小99KB,共1页
制造商SSDI
官网地址http://www.ssdi-power.com/
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2N5011概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN

2N5011规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-5
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)0.5 A
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-5
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)35 MHz
Base Number Matches1

2N5011相似产品对比

2N5011 2N5012
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN
零件包装代码 TO-5 TO-5
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compli
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30
JEDEC-95代码 TO-5 TO-5
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 35 MHz 35 MHz
Base Number Matches 1 1

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