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IS42S32200E-6BL-TR

产品描述Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90
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文件大小466KB,共59页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
标准
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供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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IS42S32200E-6BL-TR概述

Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90

IS42S32200E-6BL-TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间5.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B90
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
端子数量90
字数2097152 words
字数代码2000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA90,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.16 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM

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