电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

CZD13003

产品描述NPN Plastic Encapsulated Transistor
文件大小72KB,共1页
制造商SECOS
官网地址http://www.secosgmbh.com/
下载文档 全文预览

CZD13003概述

NPN Plastic Encapsulated Transistor

文档预览

下载PDF文档
CZD13003
Elektronische Bauelemente
1.5A , 700V
NPN Plastic Encapsulated Transistor
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
Power Switching Applications
TO-252
PACKAGE INFORMATION
Package
TO-252
MPQ
2.5K
Leader Size
13 inch
GE
A
B
C
D
K
HF
N
O
P
Collector
M
J
2
REF.
1
Base
3
Emitter
A
B
C
D
E
F
G
H
Millimeter
Min.
Max.
6.35
6.80
4.95
5.50
2.15
2.40
0.43
0.9
6.4
7.5
2.40
3.0
5.40
6.25
0.60
1.20
REF.
J
K
M
N
O
P
Millimeter
Min.
Max.
2.30 REF.
0.64
1.14
0.50
0.95
1.3
1.8
0
0.15
0.58REF.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current - Continuous
Collector Power Dissipation
Junction, Storage Temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
STG
Rating
700
400
9
1.5
1.25
150, -55~150
Unit
V
V
V
A
W
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Collector to Base Breakdown Voltage
Collector to Emitter Breakdown Voltage
Emitter to Base Breakdown Voltage
Collector Cut – Off Current
Collector Cut – Off Current
Emitter Cut – Off Current
DC Current Gain
Collector to Emitter Saturation Voltage
Base to Emitter Saturation Voltage
Base-emitter voltage
Transition Frequency
Fall time
Storage time
http://www.SeCoSGmbH.com/
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE (1)
h
FE (2)
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE
f
T
t
f
t
S
Min.
700
400
9
-
-
-
20
5
-
-
-
5
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
1
0.5
1
30
-
1
1.2
3
-
0.5
2.5
Unit
V
V
V
mA
mA
mA
Test Conditions
I
C
=1mA, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=1mA, I
C
=0
V
CB
=700V, I
E
=0
V
CE
=400V, I
B
=0
V
EB
=9V, I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=0.5A
V
CE
=5V, I
C
=1.5A
I
C
=1A, I
B
=250mA
I
C
=1A, I
B
=250mA
I
B
=2A
V
CE
=10V, I
C
=100mA, f =1MHz
I
C
=1A, I
B1
= -I
B2
=0.2A,V
CC
=100V
V
V
V
MHz
µs
µs
Any changes of specification will not be informed individually.
18-Jan-2013 Rev. A
Page 1 of 1
LINUX的makefile问题!!!!
CC = ckcore-elf-gcc AS = ckcore-elf-as LD = ckcore-elf-ld CFLAGS = -mbig-endian -c -O2 -g ASFLAGS = -mbig-endian OBJECT = tinyloader.o tiny_spi.o tiny_main.o vectors.o \ ......
flywing Linux开发
2410的DMA内存拷贝,如何设置寄存器
我想将内存地址为Addr1开始的2M数据拷贝到Addr2,如何用DMA实现呢?...
atao9527 嵌入式系统
基于FPGA的图像处理
479101 ...
至芯科技FPGA大牛 FPGA/CPLD
怎么应用XBYTE读写DS12B887
总线方式连接51单片机和DS12B8, 其中CS片选段连接到译码器74HC154的Y0, 74HC154的地址线A\B\C\D连接到P2_3、P2_4、P2_5、P2_6; 晶振频率为 6 MHz; 那位高人指导的读写下,用XBYTE 方 ......
38824520 嵌入式系统
运放参数解释及常用运放选型
本帖最后由 qwqwqw2088 于 2015-9-11 09:20 编辑 集成运放的参数较多,其中主要参数分为直流指标和交流指标,外加所有芯片都有极限参数。本文以NE5532为例,分别对各指标作简单解释。下面内 ......
qwqwqw2088 模拟与混合信号
【为C2000做贡献】CCS及DSP_BIOS的原理--例程
我感觉这个资料不错,有用的同学收一下,别忘了留下个脚印。 我这里有好多资料,全部奉献出来。大家一起进步 CCS代码 62083 本帖最后由 fxw451 于 2011-4-7 09:28 编辑 ]...
fxw451 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1270  2587  2696  950  2332  16  7  55  38  26 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved