Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO28,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
| 包装说明 | SOJ, SOJ28,.34 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最长访问时间 | 15 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J28 |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE DRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ |
| 封装等效代码 | SOJ28,.34 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 |
| 自我刷新 | NO |
| 最大待机电流 | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.18 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
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