64M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO28
64M × 1 FLASH 2.7V 可编程只读存储器, PDSO28
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
最大工作温度 | 85 Cel |
最小工作温度 | -40 Cel |
最大供电/工作电压 | 3.6 V |
最小供电/工作电压 | 2.7 V |
额定供电电压 | 3 V |
最大时钟频率 | 66 MHz |
加工封装描述 | 8 × 13.40 MM, 绿色, 塑料, MO-183, TSOP1-28 |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | TRANSFERRED |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | GULL WING |
端子间距 | 0.5500 mm |
端子涂层 | MATTE 锡 |
端子位置 | 双 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
温度等级 | INDUSTRIAL |
内存宽度 | 1 |
组织 | 64M × 1 |
存储密度 | 6.41E7 deg |
操作模式 | 同步 |
位数 | 6.41E7 words |
位数 | 64M |
内存IC类型 | FLASH 2.7V 可编程只读存储器 |
串行并行 | 串行 |
AT45DB642D-TU | AT45DB642D-CNU | AT45DB642D-CNU-SL954 | AT45DB642D-CU | |
---|---|---|---|---|
描述 | 64M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO28 | 64M X 1 FLASH 2.7V PROM, DSO8 | 64M X 1 FLASH 2.7V PROM, DSO8 | 64M X 1 FLASH 2.7V PROM, PBGA24 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 28 | 8 | 8 | 24 |
最大工作温度 | 85 Cel | 85 Cel | 85 Cel | 85 Cel |
最小工作温度 | -40 Cel | -40 Cel | -40 Cel | -40 Cel |
最大供电/工作电压 | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电/工作电压 | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
额定供电电压 | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
最大时钟频率 | 66 MHz | 66 MHz | 66 MHz | 66 MHz |
加工封装描述 | 8 × 13.40 MM, 绿色, 塑料, MO-183, TSOP1-28 | 6 × 8 MM, 1 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, 绿色, CASON-8 | 6 × 8 MM, 1 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, 绿色, CASON-8 | 绿色, BGA-24 |
状态 | TRANSFERRED | DISCONTINUED | ACTIVE | DISCONTINUED |
包装形状 | 矩形的 | 矩形的 | 矩形的 | 矩形的 |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE | GRID 阵列, 低 PROFILE |
表面贴装 | Yes | Yes | Yes | Yes |
端子形式 | GULL WING | NO 铅 | NO 铅 | BALL |
端子间距 | 0.5500 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1 mm |
端子涂层 | MATTE 锡 | MATTE 锡 | MATTE 锡 | MATTE 锡 |
端子位置 | 双 | 双 | 双 | BOTTOM |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | 塑料/环氧树脂 |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
内存宽度 | 1 | 1 | 1 | 1 |
组织 | 64M × 1 | 64M × 1 | 64M × 1 | 64M × 1 |
存储密度 | 6.41E7 deg | 6.41E7 deg | 6.41E7 deg | 6.41E7 deg |
操作模式 | 同步 | 同步 | 同步 | 同步 |
内存IC类型 | FLASH 2.7V 可编程只读存储器 | FLASH 2.7V 可编程只读存储器 | FLASH 2.7V 可编程只读存储器 | FLASH 2.7V 可编程只读存储器 |
串行并行 | 串行 | 串行 | 串行 | 串行 |
位数 | 64M | 64M | 64M | 64M |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved