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AT45DB641E-MWHN-T

产品描述64M X 1 FLASH 1.8V PROM, PDSO8
产品类别存储   
文件大小2MB,共72页
制造商ETC2
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AT45DB641E-MWHN-T在线购买

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AT45DB641E-MWHN-T概述

64M X 1 FLASH 1.8V PROM, PDSO8

64M × 1 FLASH 1.8V 可编程只读存储器, PDSO8

AT45DB641E-MWHN-T规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量8
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.6 V
最小供电/工作电压1.7 V
额定供电电压2.3 V
最大时钟频率85 MHz
加工封装描述5 X 6 MM, 0.60 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-229, UDFN-8
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态CONSULT MFR
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
表面贴装Yes
端子形式NO LEAD
端子间距1.27 mm
端子涂层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度1
组织64M X 1
存储密度6.41E7 deg
操作模式SYNCHRONOUS
位数6.41E7 words
位数64M
内存IC类型FLASH 1.8V PROM
串行并行SERIAL

AT45DB641E-MWHN-T相似产品对比

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描述 64M X 1 FLASH 1.8V PROM, PDSO8 64M X 1 FLASH 1.8V PROM, PDSO8 64M X 1 FLASH 1.8V PROM, PDSO8 64M X 1 FLASH 1.8V PROM, PDSO8 64M X 1 FLASH 1.8V PROM, PDSO8 64M X 1 FLASH 1.8V PROM, PDSO8 64M X 1 FLASH 1.8V PROM, PDSO8 64M X 1 FLASH 1.8V PROM, PDSO8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8 8 8
最大工作温度 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel
最小工作温度 -40 Cel -40 Cel -40 Cel -40 Cel -40 Cel -40 Cel -40 Cel -40 Cel
最大供电/工作电压 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电/工作电压 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
额定供电电压 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
最大时钟频率 85 MHz 85 MHz 85 MHz 85 MHz 85 MHz 85 MHz 85 MHz 85 MHz
加工封装描述 5 X 6 MM, 0.60 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-229, UDFN-8 5 X 6 MM, 0.60 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-229, UDFN-8 5 X 6 MM, 0.60 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-229, UDFN-8 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VDFN-8 0.208 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 5 X 6 MM, 0.60 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-229, UDFN-8 5 X 6 MM, 0.60 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-229, UDFN-8 0.208 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8
无铅 Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes
状态 CONSULT MFR CONSULT MFR CONSULT MFR CONSULT MFR CONSULT MFR CONSULT MFR CONSULT MFR CONSULT MFR
工艺 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE
表面贴装 Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes Yes
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD GULL WING NO LEAD NO LEAD GULL WING
端子间距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子涂层 NICKEL PALLADIUM GOLD NICKEL PALLADIUM GOLD NICKEL PALLADIUM GOLD NICKEL PALLADIUM GOLD NICKEL PALLADIUM GOLD NICKEL PALLADIUM GOLD NICKEL PALLADIUM GOLD NICKEL PALLADIUM GOLD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
内存宽度 1 1 1 1 1 1 1 1
组织 64M X 1 64M X 1 64M X 1 64M X 1 64M X 1 64M X 1 64M X 1 64M X 1
存储密度 6.41E7 deg 6.41E7 deg 6.41E7 deg 6.41E7 deg 6.41E7 deg 6.41E7 deg 6.41E7 deg 6.41E7 deg
操作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
内存IC类型 FLASH 1.8V PROM FLASH 1.8V PROM FLASH 1.8V PROM FLASH 1.8V PROM FLASH 1.8V PROM FLASH 1.8V PROM FLASH 1.8V PROM FLASH 1.8V PROM
串行并行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
位数 64M 64M 64M 64M 64M 64M 64M 64M
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