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THGBMBG6D1KBAIL

产品描述FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA153
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小258KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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THGBMBG6D1KBAIL概述

FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA153

THGBMBG6D1KBAIL规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明BGA,
Reach Compliance Codeunknown
主机数据传输速率最大值275 MBps
JESD-30 代码R-PBGA-B153
端子数量153
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
uPs/uCs/外围集成电路类型SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE

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FAB_eMMC_1405
NAND FLASH MEMORY
e
•MMC
TM
Cost Effective Mass Storage
e—MMC™
is a family of advanced and highly
efficient NAND flash memory with an integrated
controller and enhanced memory management.
Based on an interface standardized by JEDEC,
Toshiba’s
e—MMC™
offers the optimal solution for
applications where higher data volume needs to be
stored in a cost efficient way. It is fully compliant with
the Multimedia Card Association (MMCA) high speed
memory interface standard.
APPLICATIONS
Industrial Applications
Consumer Electronics
Multimedia Applications
Smart Metering & Intelligent Lighting
FEATURES
ADVANTAGES
BENEFITS
4GByte – 64GByte
19nm and new advanced A19nm
Multi level cell architecture
Conforms to the latest JEDEC
Version 4.5 and 5.0
Integrated memory management
Error correction code
Bad block management
Wear-leveling
Garbage collection
Standard and extended temperature
range
FBGA package
Higher Interface speed according to
JEDEC 5.0
Read Speed up to 275MB/s
Write Speed up to 90MB/s
Managed memory
Package, interface, features,
commands etc. are standard
Utilizing high quality Toshiba MLC
NAND flash memory in combination
with a Toshiba origin developed
controller
Produced in the world’s largest,
leading edge technology flash
factory
Easy to integrate storage
solution due to established
standards
Cost efficient design in
Optimal relation between
price, density and
performance
Reliable storage solution
based on high quality MLC
memory and optimized
controller
Extended production capacity
to fulfil customers demand
SPECIFICATIONS
Product / Features
Density
Technology
JEDEC Version
Temperature
Package
e—MMC™
4GByte – 64GByte
A19nm
5.0
-25°C to +85°C
FBGA
Extended Temp.
e—MMC™
4GByte – 32GByte
19nm
4.5
-40°C to +85°C
www.toshiba-components.com
www.toshiba-components.com

THGBMBG6D1KBAIL相似产品对比

THGBMBG6D1KBAIL THGBMAG6A2JBAWR THGBMBG5D1KBAIT THGBMBG7D2KBAIL
描述 FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA153 FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA153 FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA153 FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA153
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 BGA, BGA, BGA, BGA,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
主机数据传输速率最大值 275 MBps 275 MBps 275 MBps 275 MBps
JESD-30 代码 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153 R-PBGA-B153
端子数量 153 153 153 153
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -25 °C -40 °C -25 °C -25 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA BGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER INDUSTRIAL OTHER OTHER
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
uPs/uCs/外围集成电路类型 SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE
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