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ST93C06M3: 产品描述16X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8; 产品类别存储存储; 文件大小116KB，共15页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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ST93C06M3概述

16X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8

ST93C06M3规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
针数	8
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	MICROWIRE BUS INTERFACE; AUTOMATIC WRITE; 1000K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; DATA RETENTION > 10 YEARS
备用内存宽度	8
最大时钟频率 (fCLK)	1 MHz
数据保留时间-最小值	10
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0
长度	4.9 mm
内存密度	256 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	8
字数	16 words
字数代码	16
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	16X16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
串行总线类型	MICROWIRE
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
写保护	SOFTWARE

ST93C06M3相似产品对比

	ST93C06M3	ST93C06M6	ST93C06B6	ST93C06B1	ST93C06B3
描述	16X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8	16X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8	16X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, SKINNY, PLASTIC, DIP-8	16X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, SKINNY, PLASTIC, DIP-8	16X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, SKINNY, PLASTIC, DIP-8
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	SOIC	SOIC	DIP	DIP	DIP
包装说明	0.150 INCH, PLASTIC, SO-8	0.150 INCH, PLASTIC, SO-8	SKINNY, PLASTIC, DIP-8	SKINNY, PLASTIC, DIP-8	SKINNY, PLASTIC, DIP-8
针数	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	MICROWIRE BUS INTERFACE; AUTOMATIC WRITE; 1000K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; DATA RETENTION > 10 YEARS	MICROWIRE BUS INTERFACE; AUTOMATIC WRITE; 1000K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; DATA RETENTION > 10 YEARS	1 MILLION ERASE/WRITE CYCLES.; 40 YEARS DATA RETENTION; USER CONFIGURABLE 16 X 16	1 MILLION ERASE/WRITE CYCLES.; 40 YEARS DATA RETENTION; USER CONFIGURABLE 16 X 16	1 MILLION ERASE/WRITE CYCLES.; 40 YEARS DATA RETENTION; USER CONFIGURABLE 16 X 16
备用内存宽度	8	8	8	8	8
最大时钟频率 (fCLK)	1 MHz	1 MHz	1 MHz	1 MHz	1 MHz
数据保留时间-最小值	10	10	10	10	10
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
长度	4.9 mm	4.9 mm	9.55 mm	9.55 mm	9.55 mm
内存密度	256 bit	256 bit	256 bit	256 bit	256 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8	8
字数	16 words	16 words	16 words	16 words	16 words
字数代码	16	16	16	16	16
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	85 °C	85 °C	70 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C
组织	16X16	16X16	16X16	16X16	16X16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	SOP8,.25	SOP8,.25	DIP8,.3	DIP8,.3	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm	1.75 mm	4.8 mm	4.8 mm	4.8 mm
串行总线类型	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE
最大待机电流	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A
最大压摆率	0.003 mA	0.003 mA	0.003 mA	0.003 mA	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	3.9 mm	3.9 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms
写保护	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE
厂商名称	ST(意法半导体)	-	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)

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