电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

NP0G1AE

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSSMINI6-F1, 6 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
下载文档 详细参数 全文预览

NP0G1AE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSSMINI6-F1, 6 PIN

NP0G1AE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Panasonic(松下)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 0.46
最大集电极电流 (IC)0.08 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 42  58  156  399  1492 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved