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NEM091203P-28-A

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, T-97M, 8 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小90KB,共11页
制造商NEC(日电)
标准
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NEM091203P-28-A概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, T-97M, 8 PIN

NEM091203P-28-A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明LEAD FREE, PLASTIC, T-97M, 8 PIN
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
最大漏极电流 (ID)12 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDFM-F8
JESD-609代码e6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN BISMUTH
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

 
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