RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, T-97M, 8 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | NEC(日电) |
包装说明 | LEAD FREE, PLASTIC, T-97M, 8 PIN |
Reach Compliance Code | compliant |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 65 V |
最大漏极电流 (ID) | 12 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PDFM-F8 |
JESD-609代码 | e6 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN BISMUTH |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
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