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NNCD6.2D-T1

产品描述85W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, SUPER MINIMOLD PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小123KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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NNCD6.2D-T1概述

85W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, SUPER MINIMOLD PACKAGE-2

NNCD6.2D-T1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明SUPER MINIMOLD PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压6.55 V
最小击穿电压5.84 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散85 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
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