1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Rochester Electronics |
Reach Compliance Code | unknown |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 1 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | COMMERCIAL |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
NZT6729 | TN6729A | |
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描述 | 1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 1 A | 1 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V | 80 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 | 20 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | NOT APPLICABLE |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | ROUND |
封装形式 | SMALL OUTLINE | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
认证状态 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
表面贴装 | YES | NO |
端子面层 | MATTE TIN | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | NOT APPLICABLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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